进口扩散炉 半导体常压扩散工艺
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- 上海驰舰半导体科技有限公司 商铺
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- 品牌
- Centrotherm
- 型号
- E-2000
- 用途
- 半导体常压扩散工艺
- 所在地
- 中国(上海)自由贸易试验区金粤路202号1幢812、815室
- 联系人
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产品详细介绍
品牌 | Centrotherm | 型号 | E-2000 |
用途 | 半导体常压扩散工艺 |
centrotherm e 2000系统支持多重工艺功能,满足客户对高产能的需求。同事,e2000系统具有支持的大批量生产达菲易维护,安全可靠的水平炉操作界面。
centrotherm的设计在高效,低运行成本上非常出色,同时也具备了能满足多种工艺需要的灵活性。
工艺:常压工艺
扩散工艺 活化退火工艺
硼掺杂工艺 硅化工艺
磷掺杂工艺 氮化工艺
氢、氧退火工艺 内联烧结工艺
干氧,湿氧氧化【可选:dce,hcl】工艺
特征及优势
多达4个并列石英或sic管反应腔体【Zui多可达到300mm】
有可自由选择工艺的腔体
全自动cassette-to-cassette传片,wafer直径Zui大可达200mm
先进的晶圆冷却系统:不同管道间没有热干扰,没有对室内洁净空气的消耗
自动无沾污晶舟传片
模块式部件设计,使设备在洁净室环境下拆与装更容易
工艺数据
晶圆尺寸:150mm【max.200 wafers】
200mm【max.150 wafers】
加热系统:3或5个加热区,900mm至1000mm的±0.5℃的恒温区
工艺温度:200℃ -1300℃
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