LPCVD/PECVD炉

centrotherm e 2000系统支持多重工艺功能，满足客户对高产能的需求。同事，e2000系统具有支持的大批量生产达菲易维护，安全可靠的水平炉操作界面。

centrotherm的设计在高效，低运行成本上非常出色，同时也具备了能满足多种工艺需要的灵活性。

工艺：lpcvd工艺

多晶硅工艺 tomcat工艺

掺杂多晶硅工艺 lto工艺

氮化硅工艺hto工艺

氮氧化工艺 sipos工艺

teos工艺 低压沉淀钝化工艺

pecvd工艺

pecvd氧化工艺

pecvd氮化工艺

pecvd氮氧化工艺

特征及优势

多达4个并列石英或sic管反应腔体【Zui多可达到300mm】

有可自由选择工艺的腔体

全自动cassette-to-cassette传片，wafer直径Zui大可达200mm

先进的晶圆冷却系统：不同管道间没有热干扰，没有对室内洁净空气的消耗

自动无沾污晶舟传片

模块式部件设计，使设备在洁净室环境下拆与装更容易

工艺数据

晶圆尺寸：150mm【max.200 wafers】

200mm【max.150 wafers】

加热系统：3或5个加热区，900mm至1000mm的±0.5℃的恒温区

工艺温度：200℃ -1300℃