真空手套箱 北京泰科诺 TZB450

该系列设备主要实现热蒸发镀膜/磁控溅射功能，适用于实验室和前期工业化中试生产制备单质、氧化物、介电质、半导体化合物、高温超导薄膜、金属有机发光膜等。

技术参数

型号：tzb450a/tzb450b/tzb450c

镀膜方式:电阻蒸发镀膜+手套箱/磁控溅射镀膜+手套箱/电阻蒸发+磁控溅射+手套箱

制膜种类与特点:单质、氧化物、介电质、半导体化合物薄膜等/金属、非金属膜；也可用作各种有机发光膜、教学及生产线前期工艺试验/单质膜、半导体膜、有机膜、氧化物膜、反应膜、介质膜、高温超导膜、金属陶瓷薄膜、光学膜等

电源:稳流源/直流/双极脉冲/射频源/稳流源/双极脉冲源

电极与靶:3对/4对水冷电极/磁控靶多个/3对/4对电极；φ50.8磁控靶1个

真空室尺寸:φ450×h400mm

真空室结构形式:立式前开门结构，后置抽气系统，手动推拉式

极限真空:6.6×10-5pa

真空系统组成:分子泵+机械泵

抽速:从大气抽到10-3pa小于或等于20分钟（分子泵）/50分钟(扩散泵)

薄膜均匀性:≤±5%

电极结构形式:水冷电极

磁控溅射:500w双极脉冲源+φ50.8的永磁靶（1～3个）

工件烘烤温度:室温至500℃可调可控（pid控温）

工件运动方式:公转/自转无级变速可调可控(0-20转/分)

真空测量方式:两台低一高数显复合真空计

真空控制方式:手动/plc/plc+hmi 控制

自动报警保护系统:对泵、靶等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施

设备其它参数:用电功率≥12kw；设备重量：～800公斤；设备占地尺寸：9m2

选购件:石英晶振膜厚控制仪、冷却循环水机、霍尔离子源、反溅清洗、气体压缩机