HF-450CVD材料生长设备

hf-450cvd材料生长设备主要由反应室、加热系统、真空系统、基片台旋转（升降）机构、反应气体供给系统、机架、电器控制几大部分组成。它的基本原理是将含有制膜材料的反应气体通到基片上，在较高的温度下在基片上发生化学反应,在基体表面沉积形成涂层和薄膜，主要用于制作表面保护膜、装饰膜、精制材料以及半导体和电子材料。

二、主要技术参数

反应室尺寸：（内径x高）：￠450x400

极限真空：＜8x10-5pa

工作真空：8x10-4pa

漏气率：5x10-11pa l/s

基片台直径：φ100mm

基片台旋转速度：0～3转/分，可调

基片台升降范围：50mm，可调

真空系统：

分子泵：pnf-150/600型600l/s

机械泵：trp-24型6l/s

机械泵：trp-12型3l/s

总功率：50千瓦

设备重量：～1200公斤

设备占地尺寸：1000x15000x1500