单晶 In2Se3 (Indium Selenide) 是利用我们实验室专利技术生长。 我们生长的每 块单晶耗时3个月左右以保证我们为您提供完美晶格的单晶。 每块单晶都是有很好的 结晶性,层状结构以保证易于剥离。 单晶 In2Se3 块体的带隙是1.41 eV理想的近红外应用材料。单层In2Se3 具有很好的电学性质,机械性质和光学性质。
我们实验室有着进5年的单晶生长经验,每块晶体都有很好的可重复性。单晶
In2Se3 块体的尺寸可以达到~7mm级别,纯度可以达到99.9995% 甚至更高的纯度。
单晶In2Se3没有其他的杂相,没有其他的非晶相。我们的In2Se3单晶具有很大的晶
畴,可以得到很大的单层。
另外我们还提供免费的机械剥离和转移技术。 |