掺铌MoS2

    单晶 MoS2 (Molybdenum  disulfide) 是利用我们实验室专利技术生长。 我们生长

的每块单晶耗时3个月左右以保证我们为您提供完美晶格的单晶。 每块单晶都是有很

好的结晶性，层状结构以保证易于剥离。 单晶MoS2块体的间接带隙是1.2 eV理想的

近红外应用材料。单层MoS2 直接带隙是1.8 eV, 单层MoS2具有很好的电学性质，机

械性质和光学性质。

     我们实验室有着进5年的单晶生长经验，每块晶体都有很好的可重复性。单晶

 MoS2  块体的尺寸可以达到10mm级别，纯度可以达到99.995% 甚至更高的纯度。

单晶 MoS2 没有其他的杂相，没有其他的非晶相。我们的MoS2 单晶具有很大的晶

畴，可以得到很大的单层。

  另外我们还提供免费的机械剥离和转移技术。