单晶 In₂Se₃ (Indium Selenide) 是利用我们实验室专利技术生长。 我们生长的每

块单晶耗时3个月左右以保证我们为您提供完美晶格的单晶。 每块单晶都是有很好的

结晶性，层状结构以保证易于剥离。 单晶 In₂Se₃  块体的带隙是1.41 eV理想的近红外应用材料。单层In₂Se₃ 具有很好的电学性质，机械性质和光学性质。

     我们实验室有着进5年的单晶生长经验，每块晶体都有很好的可重复性。单晶

In₂Se₃ 块体的尺寸可以达到~7mm级别，纯度可以达到99.9995% 甚至更高的纯度。

单晶In₂Se₃没有其他的杂相，没有其他的非晶相。我们的In₂Se₃单晶具有很大的晶

畴，可以得到很大的单层。

  另外我们还提供免费的机械剥离和转移技术。