LPCVD化学相沉积设备
更新时间：2014-03-18 15:47:48 信息编号：2726079 发布者IP：112.226.174.29 浏览：95次
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产品详细介绍
用途：用于半导体器件工艺中氮化硅、二氧化硅、多晶硅的薄膜制备
特点：一次设定自动完成，可另配气柜。真空系统可选配进口机组
主要技术指标：制备3-4吋氮化硅、多晶硅和二氧化硅薄膜；温度：400~900℃；
恒温区600mm±0.5℃；真空系统机械泵+罗茨泵，配有抽气冷井；
控温器采用进口5吋触摸屏；通入气体sih4/nh3/n2;
进口质量流量计控制；阀门用进口气动阀和减压阀；动作顺序为plc编程控制；
薄膜压力控制器加阀闭环控制压强
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