P沟道场效应管 MEM2307XG
更新时间：2014-07-17 11:46:22 信息编号：2484983 发布者IP：58.250.241.235 浏览：70次
- 供应商
- 深圳市飙发科技有限公司 商铺
- 认证
- 资质核验：已通过营业执照认证入驻顺企：第12年主体名称：深圳市飙发科技有限公司组织机构代码：440301104540120
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- 所在地
- 深圳市福田区华富街道振华西路3号富荔花园2栋2单元504
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- 经理
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产品详细介绍
general description
mem2307xg series p-channel enhancement mode field-effect transistor ,produced with high cell density dmos trench technology, which is especially used to minimize on-state resistance. this device particularly suits low voltage applications, and low power dissipation, and low power dissipation in a very small outline surface mount package.
features
-30v/-4.1a
rds(on)＜88mù@ vgs=-10v,id=-4.1a
rds(on)＜108mù@ vgs=-4.5v,id=-3a
high density cell design for ultra low
on-resistance
subminiature surface mount package: sot23
typical application
power management
load switch
battery protection
