AOB10N60 丝印10N60 AOSMOS管

 

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AOB10N60	AOS	TSSOP-8	全新原装现货

AO10BN60 MOSFET N-CH 600V 10A TSSOP-8

 

AOB10N60一般信息 数据列表 标准包装   包装   类别 产品族 系列 其它名称 AOx10N60(L); TO263 (D2PAK) Pkg Drawing; 800 标准卷带  分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单 - AOB10N60L-ND  AOB10N60规格 FET 类型 技术 漏源极电压（Vdss） 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 不同 Id 时的 Vgs（th）（Zui大值） 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（Zui大值） 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（Zui大值） FET 功能 功率耗散（Zui大值） 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（Zui大值） 工作温度 安装类型 供应商器件封装 封装/外壳 N 沟道 MOSFET（金属氧化物） 600V 10A（Tc） 4.5V @ 250µA 40nC @ 10V 1600pF @ 25V - 250W（Tc） 750 毫欧 @ 5A，10V -55°C ~ 150°C（TJ） 表面贴装 TO-263（D²Pak） TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB AOB10N60文档 其它有关文件 AOS Green Policy

 

AOB10N60产品广泛应用于：

 

 

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