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AOB12N50 | AOS美国万代 | TO-263 | 全新原装现货 |
AOB12N50 MOSFET N-CH 500V 12A TO263
AOB12N50产品描述:
一般信息
数据列表AOx12N50(L);TO263 (D2PAK) Pkg Drawing;标准包装 800包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列- |
规格
FET 类型N 沟道技术MOSFET(金属氧化物)漏源极电压(Vdss)500V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)12A(Tc)不同 Id 时的 Vgs(th)(Zui大值)4.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(Zui大值)37nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(Zui大值)1633pF @ 25VFET 功能-功率耗散(Zui大值)250W(Tc)不同 Id,Vgs 时的 Rds On(Zui大值)520 毫欧 @ 6A,10V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装供应商器件封装TO-263(D²Pak)封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
文档
其它有关文件AOS Green Policy |
AOB12N50产品广泛应用于:
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