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 电极层数越多的元件来说，其电阻率和绝缘强度均低于小尺 寸元件。

a.电容器介质损耗

     在交流电路中，理想电容器上的电压与电流相位差为90°，其关系如下式表示：

     q = cv

     对于交流偏压，

     V = VoSin wt

     这里V。是正弦信号的振幅，《是频率。

     因此 Q = CVoSinut

     而电流 I = dQ/dt = d/dTCVoSin w t

     因此 I = CVoCoswt

     由于 Coswt = Sin(wt + 90° )

     因此电流相位要超前于电压相位90°。然而，实际介质并非理想器件，材料电阻率不可能无穷大，极化 机制随频率变化的延迟效应或“弛豫时间”也总会产生损耗。

上述模型是对于‘‘理想”电容器而言的，在实际使用中必须加以修正；实际电容器模型可被看作为一个理想电 容器与一个理想电阻器并联结构。

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     此时电容器上交流电压为

     V = V0Sin wt 通过理想电容器的电流为 Ic = CV0wCoswí 对于理想电阻器 Ir = V/R = Vo/R Sinwt 因此总电流为

     Ic + Ir = I net = CVo w Cos w t + Vo/R Sin w t

     上式中的两项电流相加表明部分电流（即通过电阻器的那一部分）与电压的相位差并非90°。实际电流 与理想电流之间的相差角是一定的，这一角度的正切值被定义为损耗角正切或损耗因子，如下图所示。

                                       实际电容 器电流

电t
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                                             电压

实际电容器中的损耗角正切    联 系欧阳免费寄样免 费索样

     损耗角正切，Tan5，是一种材料本征特性，并不依赖于电容器的几何尺寸。损耗角正切对介质材料在电 子领域中的应用有着非常大的影响。在实际使用中往往发现，介电常数较低的材料损耗因子也较低。具有强极 化机制的高K材料则同时具有较高的损耗因子。

b.介质损耗的频率效应

     如上所述，介质材料使用的频率范围对其极化机制有显著影响，主要是对材料随交流电场反转的极化“弛 豫”过程或时间延迟而言。瞬时极化过程弛豫时间短，延时极化过程弛豫时间长。在组成陶瓷介质的原子和离 子中，后者所引起的介质损耗更大。当外电场频率与弛豫过程的时间周期同步时，损耗值   。简而言之，

     当弛豫时间与外电场周期相差很大时损耗则很小：

     (a)弛豫时间    >> 电场频率，损耗小

     (b)弛豫时间    << 电场频率，损耗小

     (c)弛豫时间=电场频率，损耗   联系欧阳：  0755-2 9120592 可获得免费寄样服务，随时欢迎您的来 电

     在(a)条件下，极化响应速度远小于外电场反转的速度，离子完全跟不上电场的变化，因此没有出现热损 耗。（b)情况相反，极化过程能轻易的跟上电场频率，没有延迟，也没有出现损耗。然而，在(c)条件下，离子虽 然能跟上电场的变化，但又要受到弛豫时间的限制，从而产生了   的损耗。

     由多晶体构成的陶瓷介质的弛豫时间总是超出频谱范围。介质损耗与介电常数随频率的变化是一致的，而 且均与极化机制有关，如图下图所示。在高频应用时，常常用到一个被称为“Q因子”的品质因数，它等于损 耗角正切的倒数：

     Q = 1/tan 8