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 Q6. 电容器制造商如何针对老化进行补偿？        

A6. 电容器的测试基准已在IEC-384-9被定义。它被定义为:在 Zui终热处理后1000小时的经时性变化后的电容值4。我们在测试工序中考虑到老化速度的影响，使1000小时后的电容值在允许的公差范围内来进行选别。

图3 :Class II材料的排序限制示例，K允许偏差

注：随着时间的推移,由于老化使电容值降低。Zui后加热后不到1000小时的有可能超过容量公差的上限，超过1000小时的有可能低于容量公差的下限。

Q7. 电容器用户应如何针对老化进行补偿？   联 系欧阳免费寄样免 费索样

A7. 电容器用户应期望Class II、III和IV电容器处在电容允许偏差范围内, 从Zui后加热开始需要经过 TOLH中的6周（1000小时）的放置，在焊接，粘接剂固化，温度上升的其他工序直后，是电容去老化的过程，有可能电容值不落在容差范围内。您可能需要考虑到电容器的老化因素，拓宽在电路测试中电容的容差范围设置。

如何理解介质击穿强度 介质强度

介质强度表征的是介质材料承受高强度电场作用而不被 电击穿的能力，通常用伏特/密尔（V/mil)或伏特/厘 米（V/cm)表示。

当外电场强度达到某一临界值时，材料晶体点阵中的电 子克服电荷恢复力的束缚并出现场致电子发射，产生出 足够多的自由电子相互碰撞导致雪崩效应，进而导致突 发击穿电流击穿介质，使其失效。除此之外，介质失效 还有另一种模式，高压负荷下产生的热量会使介质材料 的电阻率降低到某一程度，如果在这个程度上延续足够 长的时间，将会在介质Zui薄弱的部位上产生漏电流。这 种模式与温度密切相关，介质强度随温度提高而下降。 任何绝缘体的本征介质强度都会因为材料微结构中物理 缺陷的存在而出现下降，而且和绝缘电阻一样，介质强 度也与几何尺寸密切相关。由于材料体积增大会导致缺 陷随机出现的概率增大，因此介质强度反比于介质层厚 度，如下图所示。

类似地，介质强度反比于片式电容器内部电极层数和其 物理尺寸。

基于以上考虑，进行片式电容器留边量设计时需要确保 在使用过程中和在进行耐压测试（一般为其工作电压的 2. 5倍）时，不发生击穿失效。

如何理解温度特性TCC

A.温度系数（容量一温度特性）：

通过调整配方将居里点尖峰移至室温附近的高K介质在25°C时展现出极高的介电常数， 但同时，不管是升温还是降温，K值都会出现非常大的变化。而低K介质，其配方系统使得 居里尖峰被压低和宽化，因此能如人们所希望的那样表现出更佳的稳定性。