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 I类瓷的温度系数（T.C.)用ppm/C表示，而II类瓷用％AC。测量温度系数的方法是 将片式电容器样品置于温度可控的温度实验室或“T.C.”实验室中，地读取不同温度（通 常为-55C、25C、125C)下的电容量。显然，精密的夹具和测试仪器就变得非常重要了， 特别是测量小电容量时，其ppm/C数值非常小，容量较基准值的变化往往远小于1皮法。 由于存在去老化性，因此在测高K的II类介质时就必须注意。如果在加热过程中对去老化的 样品进行测量，其T.C.结果肯定是错误的；所以T.C.测量必须在对电容器去老化后至少一个 小时才能进行。

采用下面的表达式就可以计算出任何给定的温度范围内I类介质的温度系数，单位为 ppm/C:

T.C.(ppm/C) = [(C2 - Ci) / Ci(T2 - Ti)]106

这里：Ci = Ti下的电容量 C2 = T2下的电容量 且 T2> Ti 举例：某一样品的电容量测量值如下：       

-55。。，1997 pF 25C, 2000 pF 125。，2004 pF 则-55C到25C范围内的T.C.斜率为：

T.C. = [ (2000-1997) 106] / 1997[25-(-55)] = 18.7 ppm/C 25C到125C范围内的TC.斜率为：

T.C. = [ (2004-2000) 106] / 2000(125-25) = 20.0 ppm/C II类介质的温度系数是以在室温基准值上变化的百分数来表示的，其变化量较线性介质

大了好几个数量级。

B.介质的分类

I类介质由于其采用非铁电（顺电）配方，以TiO2为主要成分（介电常数小于150)， 因此具有Zui稳定的性能。通过添加少量其他（铁电体）氧化物，如CaTiOs或SrTi〇3，构成 “扩展型”温度补偿陶瓷则可表现出近似线性的温度系数，介电常数增加至500。两种类型 的介质都适用于电路中对稳定性要求很高的电容器，即介电常数无老化或老化可忽略不计， 低损耗（DF<0.001，或对于扩展型T.C.介质DF<0.002)，容量或介质损耗随电压或频率的变 化为零或可忽略不计以及线性温度特性不超出规定的公差。