晶圆片检测中心，第三方晶圆片表面清洁度检测机构

晶圆片检测机构服务内容

晶圆片检测是指运用多种精密技术和设备，对晶圆片的质量、性能、几何尺寸、表面状态以及微观结构等方面进行测试与评估，以确保晶圆片符合半导体制造的严格要求，是半导体制造过程中保证产品质量的关键环节。

（1）晶圆片检测费用及周期：受各种因素影响，包括样品数量、测试项目、检测方法、流程等。一般检测周期为3-15个工作日，支持加急处理。关于收费多少可联系客服安排检测工程师准确报价。

（2）服务客户群体：主要为地方执法部门、事业单位、企业公司以及高校科研院所等提供检测、测试、分析、鉴定服务。

（3）检测资质：本机构已获CMA、CNAS资质认可，向社会各界出具第三方检测报告，报告全国认可，具备法律效益。

（4）晶圆片第三方检测机构参考标准

GB/T 11073-2007硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/T 26074-2010锗单晶电阻率直流四探针测量方法

（5）晶圆片检测项目

电学性能检测：采用探针台等设备，对晶圆片的电学参数进行测量，如电阻率、载流子浓度、迁移率等。这些电学性能参数决定了晶圆片的导电性能，对半导体器件的性能和可靠性至关重要。

晶体结构检测：利用 X 射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）等技术，分析晶圆片的晶体结构，包括晶格常数、晶体取向、位错密度等。晶体结构的完整性和均匀性直接影响半导体器件的性能和可靠性。

表面成分分析：运用能谱仪（EDS）、X 射线光电子能谱仪（XPS）等设备，检测晶圆片表面的元素组成和杂质含量。杂质的种类和含量会影响晶圆片的电学性能和器件的性能。

缺陷检测：采用扫描电子显微镜（SEM）、激光扫描显微镜（LSM）等设备，检测晶圆片表面和内部的微观缺陷，如点缺陷、线缺陷、面缺陷等。缺陷的存在可能导致半导体器件的性能下降或失效。

化学腐蚀检测：通过特定的化学试剂对晶圆片进行腐蚀处理，然后观察腐蚀后的表面形貌，检测晶圆片表面的缺陷和杂质分布情况。化学腐蚀检测可以发现一些在光学显微镜下难以观察到的微小缺陷。

表面清洁度检测：使用颗粒计数器、表面张力仪等设备，检测晶圆片表面的颗粒污染物和有机污染物的含量。表面清洁度对半导体器件的制造工艺和性能有重要影响，过高的污染物含量可能导致器件的性能下降或失效。