FDA50N50场效应管

fda50n50 产品规格 参数 pdf

数据列表 fda50n50, fdh50n50
产品相片 to-3p-3,to-247-3
产品培训模块 high voltage switches for power processing
pcn 设计/规格 heat sink drawing update 11/feb/2014
pcn 组件/产地 wafer fabrication 04/feb/2013
assembly site transfer 06/apr/2015
pcn 封装 tape and box/reel barcode update 07/aug/2014
标准包装 ?  30
类别  分立半导体产品
家庭 fet - 单
系列 unifet ™
包装 ?  管件 ?
fet 类型 mosfet n 通道，金属氧化物
fet 功能 标准
漏源极电压（vdss） 500v
电流 - 连续漏极（id）（25°c 时） 48a（tc）
不同 id，vgs 时的 rds on（Zui大值） 105 毫欧 @ 24a，10v
不同 id 时的 vgs（th）（Zui大值） 5v @ 250µa
不同 vgs 时的栅极电荷（qg） 137nc @ 10v
不同 vds 时的输入电容（ciss） 6460pf @ 25v
功率 - Zui大值 625w
安装类型 通孔
封装/外壳 to-3p-3，sc-65-3
供应商器件封装 to-3pn

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注意  ：

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