IR全新原装场效应管 IRFB3607PBF IRFB3607

irfb3607 产品规格 参数 pdf

数据列表 irf(b,s,sl)3607pbf
产品相片 to-220ab pkg
产品培训模块 high voltage integrated circuits (hvic gate drivers)
pcn 组件/产地 mosfet backend wafer processing 23/oct/2013
qualification wafer source 14/mar/2014
标准包装 ?  50
类别  分立半导体产品
家庭 fet - 单
系列 hexfet®
包装 ?  管件 ?
fet 类型 mosfet n 通道，金属氧化物
fet 功能 标准
漏源极电压 (vdss) 75v
电流 - 连续漏极 (id)（25°c 时） 80a（tc）
不同 id、vgs 时的 rds on（Zui大值） 9 毫欧 @ 46a，10v
不同 id 时的 vgs(th)（Zui大值） 4v @ 100µa
不同 vgs 时的栅极电荷 (qg) 84nc @ 10v
不同 vds 时的输入电容 (ciss) 3070pf @ 50v
功率 - Zui大值 140w
安装类型 通孔
封装/外壳 to-220-3
供应商器件封装 to-220ab
产品目录页面 1518 (cn2011-zh pdf)

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