品描述
设备主要利用微波测试原理,非接触式测量射频HEMT结构半导体材料的方阻、迁移率及载流子浓度。可实现单点测试,
亦可以实现面扫描的测试功能,具有快速,无损,准确等优势,可用于材料研发及工艺的监测及质量控制。
特点
适用于迁移率量测范围在100cm²/V · s~3000cm²/V · s 的射频HEMT外延片。非接触,非损伤测试,具有测试速度快,
重复性佳,测试敏感性高,可以直接测试产品片等优点。