KIA3508A mos场效应管 KIA半导体-

mosfet简介

v它是由金属、氧化物(sio2或sin)及半导体三种材料制成的器件。mosfet共有三个脚，一般为g(栅极)、s(源极)及d(漏极)，通过g、s间加控制信号时可以改变d、s间的导通和截止。

v功率mosfet是一种多子导电的单极型电压控制器件，具有开关速度快、高频特性好、热稳定性优良、驱动电路简单、驱动功率小、安全工作区宽、无二次击穿问题等显著优点。

v自1976年开发出功率mosfet以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：

v如高压功率mosfet其工作电压可达1000v；低导通电阻mosfet其阻值仅lomω；工作频率范围从直流到达数兆赫；保护措施越来越完善。并开发出各种贴片式功率mosfet，另外，价格也不断降低，使应用越来越广泛，不少地方取代双极型晶体管。

v电压控制元件

v三极管基极与发射极间内阻较小，并且基极电流与集电极电流有对应关系，所以说三极管是电流控制元件。场效应管在控制端与漏极源极间电阻很大，几乎无电流，而靠控制极上施加的电压大小引起漏源极间电流发生变化，所以说场效应管是电压控制元件。

v功率mosfet的特点

v功率mosfet与双极型功率相比具有如下特点：

v1．mosfet是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件)，因此在驱动大电流时无需推动级，电路较简单；

v2．输入阻抗高，可达108ω以上；

v3．工作频率范围宽，开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒)，开关损耗小；

v4．有较优良的线性区，并且mosfet的输入电容比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高；噪声也小，Zui合适制作hi-fi音响；

v5．功率mosfet可以多个并联使用，增加输出电流而无需均流电阻。

v型号介绍

vmosfet主要性能指标：电流、电压、内阻

kia设计生产的mosfet以具有低内阻、高耐压、快速开关、雪崩能量高等特点，设计电流跨度1a~200a，电压跨度30v~1200v。我们可以根据客户的应用领域和应用方案的不同，对mosfet本身的电性参数做出适当的调整，提高客户产品的可靠性、整体转换效率和产品的价格竞争力.

v应用领域

开关电源、逆变器、安定器、电焊机

led驱动电源、电动工具充电器、ups

电动车控制板、手机充电器、汽车功放等

本产品的品牌是KIA，型号是KIA3508A，种类是绝缘栅(MOSFET)，沟道类型是N沟道，导电方式是增强型，用途是SW-REG/开关电源，封装外形是P-DIT/塑料双列直插，材料是GE-N-FET锗N沟道，电压是80V，电流是70A，封装是TO-220\TO-263