CDE无感电容/IGBT电容1200V1UF

产品介绍：
　　采用进口金属化薄膜无感式卷绕，特殊喷金工艺，阻燃塑壳封装，阻燃环氧树脂灌封，镀银铜端子引出。

　　特点：
　　＊稳定性高＊频率特性好＊体积小＊损耗小，电感小＊自愈性好＊过电流能力强

　　用途：
　　主要用于ups、变频器、电镀电源、逆变焊机、逆变电源以及感应加热设备等其他电力电子设备，igbt吸收高频尖峰电压、电流用。

　　引用标准：
　　符合iec61071gb17702.1cge企业标准

　　经典电路图：
　　性能指标／经典规格外型尺寸：
　　性能指标：使用温度范围-40℃～＋85℃
　　电容量0.1～4.7μf
　　电容量偏差±5％（j）
　　额定电压600～3000v。dc（50khz）
　　耐电压1.75un／60s
　　损耗角正切tgδ≤0.0005（at10khz）
　　绝缘电阻≥300mω（at20℃100v。dc）
　　耐冲击电流能力dv／dt＞1000v／μs
　　阻燃性ul94v-0
　　杂散电感≤20nh

"现货供应CDE无感电容/IGBT电容1200V1UF"的品牌为CDE，型号是1200V1UF，介质材料为复合介质，应用范围是高频消振，外形为管形，功率特性是大功率，频率特性为高频，调节方式是固定，引线类型为轴向引出线，允许偏差是±10（%），耐压值为1000（V），等效串联电阻(ESR)是0（mΩ），标称容量为1（uF），损耗是5，额定电压为1200（V），绝缘电阻是0（mΩ），温度系数为0