| 产品名称 | 全新可控硅 整流桥 厂家现货 供应美国IR可控硅模块 IRKT162-16 |
|---|---|
| 公司名称 | 上海旺松新能源科技有限公司 |
| 价格 | .00/个 |
| 规格参数 | 美国IR:IRKT162-16 |
| 公司地址 | 上海市闵行区沪青平公路277号5楼K136室 |
| 联系电话 | 18616353678 |
| 品牌： | IR |
| 型号： | IRKT162-16 |
| 批号： | 16+ |
| 封装： | MODULE |
| 数量： | 1460 |
| QQ： | 375276207 |
| 对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 湿气敏感性等级（MSL）： | 1（无限） |
| 制造商标准提前期： | 17 周 |
| 系列： | HEXFET |
| 包装： | 剪切带（CT） ,带卷（TR） |
| 零件状态： | 在售 |
| FET类型： | P沟道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源极电压（Vdss）： | 30V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）： | 9.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： | 4.5V，10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值）： | 2.4V@25A |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： | 38nC@10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： | 1110pF@25V |
| 栅源电压 Vgss： | ±20V |
| FET功能： | - |
| 功率耗散（最大值）： | 2.5W（Ta） |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： | 19.4毫欧@9.2A，10V |
| 工作温度： | -55°C~150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装(SMT) |
| 供应商器件封装： | 8-SO |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） |