手机快充芯片 ASEMI PL1167手机快充芯片

产品名称 手机快充芯片 ASEMI PL1167手机快充芯片
公司名称 强元芯电子(广东)有限公司
价格 面议
规格参数
公司地址 深圳市福田区福虹路9号世贸广场A座38层
联系电话 18320961108

产品详情

PL3115B

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PL3115B的主要特性:

内置高集成度的功率MOSFET

+/-5%恒压调节

 全电压范围内精准的恒流调节

去除光耦和次级恒流恒压控制电路

内置高精度恒流调节的线电压补偿

内置变压器电感补偿

可编程的输出线补偿

可提高效率的自适应多模式PWM/PFM控制

低启动电流

限流保护

内置前沿消隐

过压保护

良好的动态响应

欠压保护









PL3369B

编辑:LX


PL3369是一款原边控制,PL116A手机快充芯片,用于反激式开关电源的恒流/恒压调节器。其高度集成了功率开关,并通过去除光耦以及次级控制电路,在简化充电器/适配器等传统的恒流/恒压设计的同时实现了的电流和电压调节。




PL3369B的复合模式的应用使芯片能够实现低静态功耗、低音频噪音、高效率。满载时芯片工作在PFM模式,随着负载降低,芯片会逐渐进入到绿色模式,以提高整个系统的效率。





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PL3369B 内部集成 VDD 检测电路,手机快充芯片,系统上电后,当 VDD 端电压超过芯片的阈值电压时,芯片开始工作并输出 PWM 信号,进而驱动功率 BJT 管。为了防止 VDD 上升过程中抖动对芯片的影响,内部设置了阈值迟滞。芯片的上升阈值和下降阈值典型值为 17.5V 和 4.5V。




PL3369B 具有低的启动电流,PL3115B手机快充芯片,因而可以采用大的启动电阻以及小的 VDD 电容以降低应用中的功率损耗。

PL3369B 的工作电流很低,再加上特有的复合模式控制,从而提高了系统的效率,特别是系统处于轻载条件下。



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