| 产品名称 | 科启达公司IR芯片收购 重庆回收晶振光耦 |
|---|---|
| 公司名称 | 深圳市科启达电子科技有限公司 |
| 价格 | .00/个 |
| 规格参数 | 品牌:进口 型号:不限 产地:不限 |
| 公司地址 | 深圳市福田区中航路国利大厦1607 |
| 联系电话 | 0755-83298239 13824335470 |
科启达公司IR芯片收购 重庆回收晶振光耦
正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求；高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐
压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。2013年9月12日 我国自主研发的高压大功率3300V/50A IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300V IGBT模块通过专家鉴定，中国自此有了完全自主的IGBT“中国芯”。
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