二极管反向恢复时间测试仪

产品详情

二极管反向恢复时间测试仪

用于测试器件级的 Diode,IGBT,MOSFET动态交流参数

1200V/100A，短路电流2500A

替代ITC57300，多项功能及指标优于ITC57300

技术规格

基础能力

*大输出能力：电压1200V电流200A

*小时间测量值：0.1ns

Windows系统的控制计算机水印签字*西安天光测控*水印签字

LabVIEW软件界面水印签字*西安天光测控*水印签字

物理规格

单机尺寸：800×800×1800mm水印签字*西安天光测控*水印签

质 量：165kg水印签字*西安天光测控*水印签字

系统功耗：200w

 ST-AC1200_S_R
开关时间（阻性）测试单元
美军标750
方法为3472

脉宽：0.1us~100us步进0.1s

栅极电压：0~20V，分辨率0.1V

栅极电流*大10A水印签字*西安天光测控*水印签字

漏极电流*大75A（支持扩展200A、500A）

占空比小于0.1%水印签字*西安天光测控*水印签字

VDD/漏极电压  5V~100 V分辨率0.1V

                                 100 V~1200V分辨率1.0VST-AC1200_D
反向恢复特性测试单元
美军标750
方法3473

IF/正向电流：0.1~50A@0.1A分辨率

                             50~200A@0.5A分辨率

di/dt/反向电流斜率：25-600A/uS  1.0A/ns Steps

VR/反向电压：20~1200V

IRM/反向电流：总正向和反向*大电流200A以内。

占空比：＜1.0%水印签字*西安天光测控*水印签字

TRR/反向恢复时间范围：1ns~2us

VDD/漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps

                                100V~1200 V，1.0V Steps

Qrr/反向恢复电荷：0.1nC~100uC

ST-AC1200_Q
栅电荷测试单元   
美军标750，
方法3471

栅极电流：0~10mA@10uA分辨率

栅级电压：0~20V@0.1V分辨率

漏极电流（固态负载）：1~25A@0.1A分辨率

分辨率水印签字*西安天光测控*水印签字

漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps

                         100V~1200 V，1.0V StepsST-AC1200_S_L
开关时间（感性）测试单元
美军标750，
方法3477

漏极电流：1.0~50A@0.2A分辨率

电感：0.1mH至159.9mH（外挂）

栅极电压：0~20V@0.1V分辨率

漏极电压：5V~100V，0.1V Steps

，1.0V Steps

ST-AC1200_S
短路特性测试单元
美军标750，
方法3479

*大电流：标配200A（选配1000A）

脉宽：1us~100us

漏极电压5V~100V，0.1V Steps

100V~1200 V，1.0V StepsST-AC1200_RC
栅电阻结电容测试单元
JEDEC Std
JESD24-11

Rg/栅电阻：0.1~100Ω水印签字*西安天光测控*水印签字

结电容参数：Ciss，Coss，Crss

漏极偏置电压：1200V*大

栅极偏置电压：0~20V@0.1V分辨率

频率：标配0.1MHZ~1MHZ

电网环境

AC220V±10%，50Hz±1Hz。水印签字*西安天光测控*水印签字

MOSFET动态参数测试仪主要用于测试二极管、IGBT、MOS动态特性参数，产品功能指标对标ITC57300,对标资料如下。

 资料说明：

对比内容：半导体分立器件动态参数测试系统

对比厂商：美国ITC公司（下文简称ITC）、西安天光测控技术有限公司（下文简称西安天光）

对比型号：ITC/ITC57300、西安天光/ST-AC1200_X

   MOSFET动态参数测试仪 以ITC57300作为参考标准，西安天光的产品资料中“蓝色字体”为西安天光的减分项（指标低于ITC57300），“红色字体”为西安天光的加分项（指标高于ITC57300），“黑色字体”表示双方指标一致。

美国ITC公司
ITC57300西安天光测控技术有限公司
ST-AC1200_X基础能力*大输出能力：电压1200V电流200A*小时间测量值：1.0nsWindows系统的控制计算机LabVIEW软件界面水印签字*西安天光测控*水印签字物理规格高=76英寸宽=44英寸(包括显示器和键盘)深=50英寸(包括接收器)重=550磅ITC57210开关时间（阻性）测试单元美军标750方法为3472脉宽：0.1s~10s 步进0.1s栅极电压±20V分辨率0.1V栅极电流*大1.0A漏极电流*大200A占空比小于0.1%VDD/漏极电压  5V~100 V分辨率0.1V          100 V~1200V分辨率1.0V水印签字*西安天光测控*水印签字ITC57220反向恢复特性测试单元美军标750方法3473IF/正向电流：ITC5722B：1.0~50A@0.2A分辨率分辨率di/dt/反向电流斜率：25-600A/uS  1.0A/ns StepsVR/反向电压：20~1200VIRM/反向电流：总正向和反向*大电流200A以内。占空比：＜1.0%TRR/反向恢复时间范围：10ns~2.0usVDD/漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps 100V~1200 V，1.0V StepsQrr/反向恢复电荷：1nc~100uC水印签字*西安天光测控*水印签字ITC57230栅电荷测试单元美军标750方法3471栅极电流：低0~2.0mA@0.01mA分辨率中2.0~20.0mA@0.1mA分辨率20.0~200.0 mA@1.0mA分辨率栅电压范围：±20V@±0.1V分辨率漏极电流（固态负载）：1~25A@0.1A分辨率分辨率漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0V Steps水印签字*西安天光测控*水印签字ITC57240开关时间（感性）测试单元美军标750方法3477漏极电流：1.0~50A@0.2A分辨率分辨率电感：0.1mH至159.9mH栅极电压：±20V@0.1V分辨率漏极电压：5V~100V，0.1V Steps，1.0V Steps水印签字*西安天光测控*水印签字ITC57250短路特性测试单元美军标750方法3479*大电流：1000A脉宽：1us~100us栅驱电压：±20V@0.1V分辨率漏极电压5V~100V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0V Steps水印签字*西安天光测控*水印签字ITC57260栅电阻结电容测试单元JEDEC StdJESD24-11Rg/栅电阻：0.1~50mΩ结电容参数：Ciss，Coss，Crss漏极偏置电压：1200V*大栅极偏置电压：±20V频率：0.1MHZ~4MHZ电网环境220V 50~60 Hz单相  可选择240V220V/12A  20A  30A水印签字*西安天光测控*水印签字基础能力*大输出能力：电压1200V电流200A*小时间测量值：0.1nsWindows系统的控制计算机LabVIEW软件界面水印签字*西安天光测控*水印签字物理规格单机尺寸：800×800×1800mm质 量：165kg 系统功耗：200wST-AC1200_S_R开关时间（阻性）测试单元        美军标750方法为3472脉宽：0.1us~100us步进0.1s栅极电压：0~20V，分辨率0.1V栅极电流*大10A漏极电流*大75A（支持扩展200A、500A）占空比小于0.1%VDD/漏极电压  5V~100 V分辨率0.1V               100 V~1200V分辨率1.0V水印签字*西安天光测控*水印签字ST-AC1200_D反向恢复特性测试单元       美军标750方法3473IF/正向电流：0.1~50A@0.1A分辨率50~200A@0.5A分辨率di/dt/反向电流斜率：25-600A/uS  1.0A/ns StepsVR/反向电压：20~1200VIRM/反向电流：总正向和反向*大电流200A以内。占空比：＜1.0%TRR/反向恢复时间范围：1ns~2usVDD/漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps 100V~1200 V，1.0V StepsQrr/反向恢复电荷：0.1nC~100uC水印签字*西安天光测控*水印签字ST-AC1200_Q栅电荷测试单元   美军标750，方法3471栅极电流：0~10mA@10uA分辨率栅级电压：0~20V@0.1V分辨率漏极电流（固态负载）：1~25A@0.1A分辨率水印签字*西安天光测控*水印签字漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0V StepsST-AC1200_S_L开关时间（感性）测试单元美军标750，方法3477漏极电流：1.0~50A@0.2A分辨率分辨率电感：0.1mH至159.9mH（外挂）栅极电压：0~20V@0.1V分辨率漏极电压：5V~100V，0.1V Steps，1.0V Steps水印签字*西安天光测控*水印签字ST-AC1200_S短路特性测试单元美军标750，方法3479*大电流：标配200A（选配1000A）脉宽：1us~100us栅极电压：0~20V@0.1V分辨率漏极电压5V~100V，0.1V Steps100V~1200 V，1.0V Steps水印签字*西安天光测控*水印签字ST-AC1200_RC栅电阻结电容测试单元       JEDEC Std JESD24-11Rg/栅电阻：0.1~100Ω结电容参数：Ciss，Coss，Crss漏极偏置电压：1200V*大栅极偏置电压：0~20V@0.1V分辨率频率：标配0.1MHZ~1MHZ（3W）0.1MHZ~4MHZ（15W） 水印签字*西安天光测控*水印签字电网环境AC220V±10%，50Hz±1Hz。

其它测试功能（加分项）

雪崩特性测试单元

EAS

IAS

PAS

di/dt测试单元

dv/dt测试单元

静态参数测试单元（可测试IGBT、MOSFET、二极管的静态直流参数）

安全工作区/RBSOA

热阻（包括稳态热阻和瞬态热阻）

产品系列

晶体管图示仪
半导体分立器件测试筛选系统
静态参数（包括 IGEs / VGE(th) / VCEsat / VF / ICEs / VCEs等）
动态参数（包括 Turn_ON&OFF_L / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA等）
环境老化（包括 HTRB / HTGB / H3TRB / Surge等）
热特性（包括 PC / TC / Rth / Zth / Kcurve等）
可测试 Si / SiC / GaN 材料的  IGBTs  /  MOSFETs  /  DIODEs  /  BJTs  /  SCRs等功率器件