| 产品名称 | AOS万代 AOB11S65 MOS场效应管 |
|---|---|
| 公司名称 | 深圳市创立翔科技有限公司 |
| 价格 | .00/个 |
| 规格参数 | 品牌:AOS 型号:AOB11S65 |
| 公司地址 | 深圳市福田区华强北深南中路3018世纪汇广场都会轩1913室 |
| 联系电话 | 0755-88600801 13380393806 |
| AOB11S65型号 | AOB11S65品牌 | AOB11S65封装 | AOB11S65备注 |
| AOB11S65 | AOS美国万代 | TO-263 | 全新原装现货 |
AOB11S65 MOSFET N-CH 650V 11A TO263
AOB11S65一般信息
| 数据列表AOx11S65(L);TO263 (D2PAK) Pkg Drawing;标准包装 800包装 标准卷带 类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列aMOS其它名称AOB11S65L-ND |
规格
| FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（Vdss）650V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）11A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250A不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）13.2nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）646pF @ 100VFET 功能-功率耗散（最大值）198W（Tc）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）399 毫欧 @ 5.5A，10V工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装TO-263（DPak）封装/外壳TO-263-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
文档
| 其它有关文件AOS Green Policy |
AOB11S65产品广泛应用于：
联系方式：
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