产品名称 | IR MOS场效应管 IRF630N N沟道 TO-220 全新原装 |
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公司名称 | 深圳市兴再兴科技有限公司 |
价格 | 面议 |
规格参数 | 品牌:IR/国际整流器: 种类:结型(JFET):沟道类型:N沟道 导电方式:增强型:用途:L/功率放大 |
公司地址 | 深圳市福田区华强北街道深南中路佳和华强大厦裙楼4C118号 |
联系电话 | 暂无 |
ir场效应管 i irf630n n沟道 to-220 全新原装
产品技术参数
典型关断延迟时间 | 27 ns | |
典型接通延迟时间 | 7.9 ns | |
典型栅极电荷@vgs | 35 nc v @ 10 | |
典型输入电容值@vds | 575 pf v @ 25 | |
安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 4.69mm | |
封装类型 | to-220ab | |
尺寸 | 10.54 x 4.69 x 8.77mm | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -55 °c | |
最大功率耗散 | 82 w | |
最大栅源电压 | ±20 v | |
最大漏源电压 | 200 v | |
最大漏源电阻值 | 0.3 ω | |
最大连续漏极电流 | 9.3 a | |
最高工作温度 | +175 °c | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 mosfet | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | n | |
配置 | 单 | |
长度 | 10.54mm | |
高度 | 8.77mm |
本产品的品牌:IR/国际整流器是型号:IRF630N,种类:结型(JFET)是沟道类型:N沟道,导电方式:增强型是用途:L/功率放大,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插是材料:N-FET硅N沟道