| 产品名称 | 微电子材料检测-材料分析及检测-检测服务检测 |
|---|---|
| 公司名称 | 百检集团 |
| 价格 | .00/个 |
| 规格参数 | 品牌:百检 资质:CMA/CNAS 地区:全国 |
| 公司地址 | 上海徐汇区普天科创产业园 |
| 联系电话 | 13262752056 13262752056 |
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检测标准：
1 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法 GB/T 19199-2015 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度
2 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T 1553-2009 少子寿命
3 工业硅化学分析方法 第4部分：杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发生光谱法 GB/T 14849.4-2014 工业硅中杂质元素含量
4 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1555-2009 晶向
5 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6619-2009 晶片弯曲度
6 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T 6620-2009 晶片翘曲度
7 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 GB/T 13389-2014 电阻率与掺杂剂浓度换算
8 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法 GB/T 18032-2000 砷化镓单晶AB微缺陷
9 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法 GB/T 17170-2015 砷化镓单晶EL2浓度
10 砷化镓单晶位错密度的测量方法 GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度
11 砷化镓、磷化铟半导体材料参数测试方法 SJ 3244.1-1989 砷化镓和磷化铟材料霍尔系数
12 砷化镓单晶材料测试方法 GJB 1927-1994 方法104 砷化镓材料杂质均匀性
13 半绝缘砷化镓剩余杂质浓度微区试验方法 SJ 20635-1997 方法101 砷化镓材料杂质浓度
14 半绝缘砷化镓剩余杂质浓度微区试验方法 SJ 20635-1997 方法102 砷化镓材料杂质浓度
15 半绝缘砷化镓剩余杂质浓度微区试验方法 SJ 20635-1997 方法104 砷化镓材料杂质浓度
