品牌	ADV美国先进半导体	型号	BT151-500R
种类	绝缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	A/宽频带放大
封装外形	CER-DIP/陶瓷直插	材料	GaAS-FET砷化镓
开启电压	10（V）	夹断电压	20（V）
跨导	30（μS）	极间电容	10（pF）
低频噪声系数	20（dB）	最大漏极电流	30（mA）
最大耗散功率	10（mW）

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