| 产品名称 | 方形氮化镓衬底厂家 10*10.5mm氮化镓自支撑晶片厂商 |
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| 公司名称 | 苏州恒迈瑞材料科技有限公司 |
| 价格 | .00/个 |
| 规格参数 | 品牌:恒迈瑞 型号:10*10.5mm2 产地:苏州 |
| 公司地址 | 苏州市吴中区苏蠡路60号（蠡盛大厦）507室（注册地址） |
| 联系电话 | 15366208370 |
方形氮化镓衬底厂家 10*10.5mm氮化镓自支撑晶片厂商
苏州恒迈瑞材料科技生产供应10mm*10.5mm方形氮化镓自支撑衬底片，衬底厚度350um±25um，掺杂类型分为N型非掺杂，硅掺杂及半绝缘型Fe铁掺杂。GaN氮化镓自支撑衬底晶片TTV≤10um，抛光类型可选单面抛光SSP或双面抛光DSP。
第三代半导体材料包括了以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带化合物半导体。第一二代半导体材料工艺已经逐渐接近物理极限，在微电子领域的摩尔定律开始逐步失效，而第三代半导体是可以超越摩尔定律的。相比于第一代及第二代半导体材料，第三代半导体材料在高温、高耐压以及承受大电流等多个方面具备明显的优势，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。在器件的性能对比上，GaN材料以及SiC材料在通态电阻以及击穿电压方面都具备较大的优势。