产品名称 | 高分辨率 武汉凯立特 |
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公司名称 | 武汉凯立特科技有限公司 |
价格 | 面议 |
规格参数 | |
公司地址 | 湖北省武汉市江岸区绿地汉口中心S11-4-11 |
联系电话 | 18672968412 18672968412 |
后脉冲
限制当前InGaAs / InP APD性能的主要问题是所谓的后脉冲的存在增加了暗计数率。
当APD单光子探测器发生雪崩时,有一部分载流子会滞留在倍增层中,这些滞留的载流子随后释放的时候也会触发雪崩,产生非光子探测脉冲,这样的脉冲称为后脉冲。后脉冲会造成错误计数,而SNSPD无后脉冲。
后脉冲的这种杂散效应是由于在碰撞电离发生的结的高场区内陷阱能级引起的雪崩过程中电荷载流子的捕获而产生的。当随后释放时,这些捕获载流子可以触发所谓的后脉冲。对于InGaAs / InP APD,捕获电荷的寿命通常为几微秒。这些事件的概率也与填充陷阱的数量成正比,而填充陷阱的数量又与淬火发生前雪崩中穿过结的电荷成正比。 通过确保快速淬灭雪崩可以限制总电荷。
还需要注意的是,降低APD的工作温度会延长捕获电荷的寿命。因此,必须谨慎选择冷却温度,以(zui)大程度地降低总暗计数概率(包括后脉冲)。 对于当前的InGaAs / InP SPAD,(zui)佳温度通常约为220K。
选型
要获得高品质、低噪声的视频图像(即使在光线不佳的条件下),高分辨率,高灵敏度相机必不可少[2]。
需要明确拍摄物体,需要多大的分辨率,需要达到多少精度,帧频是多少,所用软件的性能等等。例如如果是生命科学试验中需要显微观察的生物样品可能具有活性和移动等特点,所以EMCCD作为一种弱光探测器,配合共焦显微镜系统使用效果更好。