| 产品名称 | 7MBR35SD120 FUI日本富士通 |
|---|---|
| 公司名称 | 上海黄浦区亨达电子经营部 |
| 价格 | 1.00/个 |
| 规格参数 | 品牌:FUI日本富士通 型号:7MBR35SD120 种类:结型(JFET) |
| 公司地址 | 中国 上海市黄浦区 上海市北京东路668号1F21 |
| 联系电话 | 86 021 61204968 13701979272 |
| 品牌 | FUI日本富士通 | 型号 | 7MBR35SD120 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-FBM/全桥组件 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | MES金属半导体 |
| 开启电压 | 11（V） | 夹断电压 | 11（V） |
| 低频跨导 | 11（μS） | 极间电容 | 11（pF） |
| 低频噪声系数 | 11（dB） | 最大漏极电流 | 11（mA） |
| 最大耗散功率 | 11（mW） |