美国吉时利4200替代品易恩MOS测试仪

更新时间：2021-11-22 10:04:09 信息编号：5780805 发布者IP：1.80.2.172 浏览：56次

供应商: 西安易恩电气科技有限公司 商铺
认证: 资质核验：
已通过营业执照认证

入驻顺企：
第
6
年

主体名称：
西安易恩电气科技有限公司

组织机构代码：
91610117MA6TXBJH49
报价: 请来电询价
品牌: 易恩电气
质量: 175KG
产地: 陕西西安
关键词: MOS模块测试仪，MOS全参数测试仪，MOS动静态测试
所在地: 西安市高陵区融豪工业城(中小企业创业示范园微型第10座5层01号）
联系电话: 029-86095858
手机号: 15249202572
项目经理: 李想请说明来自顺企网，优惠更多

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美国吉时利4200替代品易恩MOS测试仪

西安厂家直供大功率MOS动静态测试系统

规格环境

A. 环境温度： 25±10℃，

B．相对湿度：湿度不大于65%

C. 大气压力： 86Kpa～ 106Kpa

D. 工作电压：三相五线制AC 380V±10%，或者单相三线制AC 220V±10%

E．电网频率： 50Hz±1Hz

F. 压缩空气： 0.4～0.6Mpa

G. 防护：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害；

功能简介

此设备具有以下测试单元。注：开关时间，二极管反向恢复，栅极电荷需要可在分装后测试，静态参数及雪崩测试需要在加电容前测试。

开关时间测试单元

开启延迟时间（Td(on)）上升时间（Tr）

关断延迟时间（Td(off)）下降时间（Tf）

开启损耗Eon 关断损耗Eoff

二极管反向恢复测试单元

反向恢复时间（Trr）反向恢复电荷（Qrr）

栅极电荷测试单元

阈值电荷（Qg（th））栅电荷（Qg）

静态全参数测试单元

RDS(ON) VGS(th) TDSS IGSS VSD R25

雪崩测试单元

雪崩电流（I），雪崩电压(V)，雪崩能量(E)

测量的MOSFET动态参数

测量的DIODE动态参数

参数名称	符号	参数名称	符号
反向恢复时间	trr	反向恢复电荷	Qrr

相关产品：MOS模块测试仪 , MOS全参数测试仪 , MOS动静态测试

所属分类：中国仪表网 / 参数测量仪
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