17年新全贝®超强超低损耗单模光纤

                  17年新全贝®超强超低损耗单模光纤

你是否还在为选择更低衰耗还是选择更好弯曲性能的光纤而犹豫不决呢？现在我们可以给你做出的选择：长飞全贝®超强光纤。 长飞全贝®超强光纤采用长飞独有的纯硅芯技术，相比于G.652.D 光纤，可减少15%的衰减，1550nm波长的衰耗小于0.17dB/km。 长飞全贝®超强光纤，得益于先进的等离子体化学气相沉积(PCVD)技术，水峰典型值为0.4dB/km。 长飞全贝®超强光纤具有下陷折射率剖面，有效减少了宏弯和微弯附加损耗，其完全弯曲性能超过ITU-T G.657.A1标准。长飞全贝超强光纤的宏弯损耗优于G.652.D标准10倍以上，有利于更小、更轻的光缆设计，减少弯曲安装的返工时间。  长飞全贝®超强光纤采用特殊的材料设计，具有良好的抗氢老化特性，以保证光纤性能的稳定性。 因此，长飞全贝®超强光纤是唯一具有超低衰减、且宏弯性能优于G.657.A1标准的G652光纤。其宏弯性能是以9.1um的模场直径为基础，与标准单模光纤一致，可与现有网络无缝兼容，有效满足了高速、大容量、长距离传输信号的发展要求。