IGBT封装基板，铝碳化硅
更新时间：2016-12-02 13:05:47 信息编号：4940763 发布者IP：27.210.191.245 浏览：191次
- 供应商
- 青岛奥思科新材料有限公司 商铺
- 认证
- 资质核验：已通过营业执照认证入驻顺企：第9年主体名称：青岛奥思科新材料有限公司组织机构代码：370213230183809
- 报价
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- 品牌
- 奥思科
- 型号
- 1101
- 关键词
- IGBT封装基板，铝碳化硅基板，铝碳化硅
- 所在地
- 青岛市李沧区金水路171号1号楼301室
- 联系电话
- 0532-68989789
- 手机号
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- 市场经理
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产品详细介绍
AlSiC （铝碳化硅）具有高导热率（180～240 W/m.K）和可调的热膨胀系数（6.5～9.5×10-6 /K），一方面 AlSiC 的热膨胀系数与半导体芯片和陶瓷基片实现良好的匹配，能够防止疲劳失效的产生,甚至可以将功率芯片直接安装到 AlSiC 基板上,另一方面 AlSiC 的热导率是一般封装材料的十倍，芯片产生的热量可以及时散发。这样，整个元器件的可靠性和稳定性大大提高。
其既有陶瓷的性质，又有金属的性质，与其他电子封装材料比较起来有明显的优势，概括起来就是“三高三低”，即高导热、高强度、高耐磨、低膨胀、低密度、低成本。
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