IGBT封装基板,铝碳化硅

更新时间:2016-12-02 13:05:47 信息编号:4940763 发布者IP:27.210.191.245 浏览:191次
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1101
关键词
IGBT封装基板,铝碳化硅基板,铝碳化硅
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青岛市李沧区金水路171号1号楼301室
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产品详细介绍

 AlSiC (铝碳化硅)具有高导热率(180~240 W/m.K)和可调的热膨胀系数(6.5~9.5×10-6 /K),一方面 AlSiC 的热膨胀系数与半导体芯片和陶瓷基片实现良好的匹配,能够防止疲劳失效的产生,甚至可以将功率芯片直接安装到 AlSiC 基板上,另一方面 AlSiC 的热导率是一般封装材料的十倍,芯片产生的热量可以及时散发。这样,整个元器件的可靠性和稳定性大大提高。

其既有陶瓷的性质,又有金属的性质,与其他电子封装材料比较起来有明显的优势,概括起来就是“三高三低”,即高导热、高强度、高耐磨、低膨胀、低密度、低成本。

相关产品:IGBT封装基板 , 铝碳化硅基板 , 铝碳化硅
所属分类:中国电子元件网 / 电子五金材料
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