FQB5N90 5N90 仙童 原装现货

 

型号	品牌	封装	批号	备注
FQB5N90	FAIRCHILD仙童	TO-263	15+	原装现货

FQB5N90 N 沟道 QFET® MOSFET 900V, 5.4A, 2.3Ω

FQB5N90规格书

FQB5N90特性

5.4A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω（Zui大值）@VGS = 10 V, ID = 2.7A栅极电荷低（典型值：31nC)
低 Crss（典型值13pF)
经过雪崩击穿测试
符合 RoHS 标准

FQB5N90概述

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

联系方式：

公司：深圳市雅迪斯电子有限公司 地址：广东省深圳市福田区华强北深南中路3018号世纪汇 联系人：吴生 电话：0755-23946783 手机： 传真：0755-88600656

 

 

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