四探针测量系统方阻测量表阻测量

 

技术规格：

1.测量温度：室温---600°C ;

2.控温精度：±1℃ ，

3.显示精度：±0.1℃；

4.升温斜率：1-5°C/min；测量精度：0.05%；

5.电阻率：10-5 ～105 Ω.cm ; 

6.电导率：10-5 ～105 s/cm

7.方块电阻：10-4 ～106 Ω/□；

8.电阻：10-5 ～105 Ω；

9.探针间距：2±0.01mm；

10.探针压力：0~2kg可调；

11.针间绝缘电阻：≥1000MΩ；

12.真空腔体漏率标准要小于10-9 Pa·m3/s ; 

13.样品：直径15~30mm，厚度小于4mm；

 

佰力博HRMS-800高温四探针测量系统用于研究高温条件下材料的导电性能，该系统可以测量硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率、测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜的方块电阻，设备按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计的，专用于高温、真空及气氛条件下测试半导体材料电学性能。

 

高温、真空、气氛的多样化测量环境的实现，为四探针测量系统开创了一个广阔的天地；方案、测量、分析集于一体，实现高效的测量过程；前沿的电极系统，保证高温下探针不氧化，真空下可精准调节探针距离，自动调节样品测试电压等，这些功能的实现，让测试简单化，高效化。佰力博提供定制需求开发，欢迎来电咨询！

 

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