SIO2-SI硅衬底
更新时间:2016-01-23 23:42:20 信息编号:4422753 发布者IP:112.2.238.143 浏览:1071次- 供应商
- 南京牧科纳米科技有限公司 商铺
- 认证
- 资质核验:已通过营业执照认证入驻顺企:第9年主体名称:南京牧科纳米科技有限公司组织机构代码:320121000382113
- 报价
- 人民币¥170.00元每块
- 品牌
- MKNANO
- 型号
- 10093X
- 尺寸
- 4英寸
- 关键词
- 氧化硅衬底,硅衬底,CVD生长器件专用衬底,4英寸硅衬底
- 所在地
- 江苏省南京市江宁区科学园芝兰路18号
- 联系电话
- 025-66171690
- 手机号
- 18052095282
- 总经理
- 蒋经理 请说明来自顺企网,优惠更多
产品详细介绍
以下是SiO2/Si衬底的照片:
氧化层厚度和SiO2/Si颜色对照表
以下图片为公司IC百级超净室内实拍,所有硅片加工、分装均在IC超净室内进行,保证产品质量,因为专业所以质优!
常见的各种氧化工艺
热氧化法-将硅片置于高温下,通以氧化的气氛,使硅表面一薄层的硅转变为二氧化硅的方法。
常见的热氧化工艺类别及特点:
1、干氧氧化:
干氧氧化法-氧化气氛为干燥、纯净的氧气。氧化膜致密、针孔密度小、适合光刻、质量,但氧化速度Zui慢,成本Zui高。
2、水汽氧化:
水汽氧化法-氧化气氛为纯净的水汽。氧化速度Zui快,但氧化膜疏松,针孔密度大,质量Zui差,光刻容易浮胶。
3、湿氧氧化:
湿氧氧化法-氧化气氛为纯净的氧气+纯净的氢气。氧化膜质量和氧化速度均介于干氧氧化和水汽氧化之间,质量也介于二者之间。
三种热氧化方式,干氧氧化的氧化层质量,成本Zui高;我司的硅片氧化层500nm以下采用纯干氧氧化,氧化层品质,绝缘性非常好,且采用我司独创新型专利氧化工艺技术,氧化层中缺陷与电荷Zui少,同时硅片的价格优惠,期待与广大新老客户合作双赢;(如500nm以下客户要求采用湿氧氧化也可以)
SIO2-SI衬底CVD-MOS2,WS2生长实例:
CVD-WS2
CVD-MOS2单层连续薄膜
CVD-三角形MOS2
产品信息:
产品名称 (单抛光) | 商品编码 | 货号 | 尺寸 | P或N型 | 氧化层厚度 |
氧化硅片SIO2硅片 单抛光 | MK1301 | 100931 | 4英寸 | P型/N型 | 50 |
氧化硅片SIO2硅片 单抛光 | MK1302 | 100932 | 4英寸 | P型/N型 | 80 |
氧化硅片SIO2硅片 单抛光 | MK1303 | 100933 | 4英寸 | P型/N型 | 100 |
氧化硅片SIO2硅片 单抛光 | MK1304 | 100934 | 4英寸 | P型/N型 | 200 |
氧化硅片SIO2硅片 单抛光 | MK1305 | 100935 | 4英寸 | P型/N型 | 300 |
氧化硅片SIO2硅片 单抛光 | MK1306 | 100936 | 4英寸 | P型/N型 | 500 |
氧化硅片SIO2硅片 单抛光 | MK1307 | 100937 | 4英寸 | P型/N型 | 1000 |
氧化硅片SIO2硅片 单抛光 | MK1308 | 100938 | 4英寸 | P型/N型 | 2000 |
氧化硅片SIO2硅片 单抛光 | MK1309 | 100939 | 4英寸 | P型/N型 | 3000 |
相关产品:氧化硅衬底 , 硅衬底 , CVD生长器件专用衬底 , 4英寸硅衬底
主要经营:石墨烯材料,类石墨烯材料,纳米材料的制备和研发
南京牧科纳米科技有限公司目前主要由10位具有海外留学经历和国内顶尖研究课题组多年研究经验的博士团队组成。牧科是国内唯一一家专门从事二维材料单晶cvd合成和二维半导体纳米片溶液及冷干粉末合成的(类石墨 ...
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