样品名称 |
进口二硒化钨WSe2晶体 |
性质 |
半导体材料 (p型) |
带隙 |
单层带隙1.66 eV |
参数 |
纯度:>99.995% 尺寸:~10 mm 颜色:黑色 |
应用 |
半导体电子器件,光学器件等研究 |
其他信息 |
详情请发邮件至:sale@mukenano.com mknano@126.com |
单晶 2H-WSe2 (tungsten diselenide) 是利用我们实验室专利技术生长。 我们生长的每块单晶耗时3个月左右以保证我们为您提供完美晶格的单晶。 每块单晶都是有很好
的结晶性,层状结构以保证易于剥离。 单晶WSe2 (molybdenum disulfide) 块体的带
隙是1.2 eV,单层的WSe2 带隙是1.8 eV。单层WSe2 具有具有很好的电学性质,机械
性质和光学性质。
我们实验室有着进5年的单晶生长经验,每块晶体都有很好的可重复性。单晶
WSe2块体的尺寸可以达到10mm级别,纯度可以达到99.9995% 甚至更高的纯度。
单晶WSe2 可以达到 2H相,没有其他的杂相,没有其他的非晶相。我们的
WSe2 单晶具有很大的晶畴,可以得到很大的单层。
另外我们还提供免费的机械剥离和转移技术。