简介:
DP8205 是双路增强型的N沟道MOSFET。连续电流可达5A. 耐压可达20V。据有低漏电流,低导通电阻等特点。
DP8205典型导通内阻小。为小型TSSOP8/TSOP6封装,内部两管的D级已连通在一起,方便应用。
封装:
此IC有2种封装:
TSSOP-8, TSOP-6。
特征:
Ø GS间电压:±12V
Ø GS间漏电流:<100nA
Ø 低导通电阻:<30mR @2.5v
Ø DS间耐压:20V
Ø DS间漏电流:<1uA
Ø 控制启动电压:典型0.7v
Ø DS连续电流:可达5A
Ø 内部二级管压降:<1.2V
应用:
Ø DC-DC转换器
Ø 锂电池保护板
Ø MP3,MP4,GPS
Ø 移动电源