青岛福润德微电子有限公司 LPCVD设备
更新时间：2015-10-08 08:36:41 信息编号：3941768 发布者IP：112.225.83.145 浏览：103次
产品详细介绍
满足半导体集成电路，电力电子器件，光电子等行业用于在硅片上淀积SiO2、Si
3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜工艺。
CVD系统性能特点：
CVD系统性能特点：
u结构形式：1—4管卧式热壁型
u硅片规格：2—8英寸硅片(或125×125mm、156×156mm方片)
u温度范围：300～1100℃
u恒温区长度及精度：200ram—1000mm(±1℃／24h)
u淀积薄膜均匀性：片内±5％ 片间±5％ 批间±5％
u沉积膜厚度：600～15000A
u系统极限真空度：优于1Pa
u工作压力范围：20～133Pa闭环控制
u控制方式：工业微机
u送料装置：悬臂推拉舟、软着陆系统
u淀积薄膜分类：Si
3N4、SiO2、PSG、Poly-Si膜
u真空泵：罗茨泵、机械泵
u工艺气路：5路气／管。VCR接口
u40KHz脉宽调制AE高频电源
u装片量：200片／舟
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