外挂MOSt管电源芯片OB2269

更新时间:2021-06-29 11:15:52 信息编号:3853393 发布者IP:116.25.77.75 浏览:252次
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深圳市惠博升科技有限公司 商铺
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资质核验:
已通过营业执照认证
入驻顺企:
13
主体名称:
深圳市惠博升科技有限公司
组织机构代码:
9144030079256636XL
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品牌
HBS
型号
2269
关键词
HBS2269,OB2269,外挂电源芯片
所在地
深圳市宝安西乡街道兴业路3012号老兵大厦东二座7002A
联系电话
86-075523032030-8002
手机号
13823531528
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产品详细介绍

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反激式开关电源应用
概述: 封装外形图
是一个PWM 控制电路集成芯片,它具有
低待机功耗、低成本等特点,可应用于离线反激变换
器的应用中,在空载或轻载条件下,IC 工作在 “间
歇模式”下来减少应用系统的损耗,可实现低待机功
耗和高转换效率的功能。
VDD 具有低启动电流和低工作电流,这有助于
启动的可靠性设计,可以在应用电路中设计
一个大电阻来分压启动芯片工作。
内部还设计了斜率补偿功能,这提高了系统中大
信号的稳定性。内部还设计有提供保护的模
块,包括过流保护(OCP),过载保护(OLP),过压
保护(OVP),过温保护(OTP),欠压锁定(UVLO)
等。栅极驱动输出电压Zui大可达18V,这起到了保护
MOSFET 的功能。此外还具有优良的EMI
性能。
采用SOP - 8 和DIP - 8 封装。
主要特点:
▲ 低待机功耗。
▲ 无噪声工作,无论在空载,轻载和满载的情况下都不会产生音频噪声。
▲ 更低启动电流,低至5uA左右,可有效地减少系统启动电路的损耗。
▲ 更低工作电流,约为2.3mA,可有效降低系统的损耗。
▲ 内置前沿消隐,为系统节省了一个外部的R-C 网络,降低系统成本。
▲ 内置OCP 补偿。
▲ 完善的保护功能,OCP,OTP,OVP,UVLO等。
▲ MOSFET 软驱动:可有效的改善系统的EMI。
▲ 较少的外围器件。
▲优良的EMI 特性。
主要应用领域:
■电池充电器
■笔记本电源适配器
■电脑/电视/机顶盒电源
■开放式开关电源
SOP8
DIP8
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功能框图
典型应用图
典型应用电路图
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管脚说明:
提供SOP8和DIP8两种封装形式。
管脚序号 管脚名称 I/O 描述
1 GND P 地
2 FB I 反馈输入引脚。PWM 波形的占空比大小由FB 端口和SENSE
端口控制。
3 VIN I 通过一个大电阻和滤波电路并连接VDD 控制芯片工作。
4 RI I 内部振荡器频率设置端口,PWM 频率由此端口到地所接电阻
控制。
5 RT I 温度传感输入引脚。通过一个电阻连接到GND。
6 SENSE I 电流感应输入引脚。
7 VDD P 电源端口,给芯片提供电源。
8 GATE O 功率MOSFET 栅极驱动输出。
极限参数:
参数 标识 值
VDD/VIN 直流供电源 V_Vdd/Vin 30V
VDD 钳位电压 V_ clamp V_Vdd clamp +0.1V
VDD 钳位持续电流 I_Vdd clamp 10mA
FB 端输入电压 Vfb -0.3~7V
SENSE 端输入电压 Vcs -0.3~7V
RI 端输入电压 Vri -0.3~7V
RT 端输入电压 Vrt -0.3~7V
Zui小Zui大工作温度 Tj_Min/Max -20~130℃
Zui小Zui大耐温 Ta_Min/Max -55~150℃
铅温度(焊接,10s) T_lead 260℃
封装形式 耐温(℃/W)
DIP8 90
SOP8 150
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电气特性:
电气特性 条件:(VDD=16V, Ta=25℃,RI=24Kohm。)
参数 标识 测试条件 Min 典型值 Max 单位
VDD 端口
VDD 启动电流 I_start VDD=15V 6 20 uA
VDD 工作电流 I_Op Vfb=3V 2.3 mA
VDD 在欠压下输入电压 UVLO(enter) 9.5 10.5 11.5 V
VDD 在欠压下输出电压 UVLO(exit) 15.5 16.5 17.5 V
OVP 条件下的开启电压 V_OVP(on) 23.5 25 26.5 V
OVP 条件下的关断电压 V_OVP(off) 21.5 23 24.5 V
VDD 过压保护反跳时间 Td_OVP 80 uSec
钳制电压(过压阈值) VDD_Clamp 35 V
过压保护滞后 OVP_Hys 2 V
FB 端口
Vfb 开电压 Vfb_Open 6.0 V
脉冲宽度调制输入电压增益 Avcs 2.8 V/V
FB 端短路电流 Ifb_Short 0.8 mA
零占空比下FB 端阈值电压 Vth_0D 0.95 V
触发(间歇)模式下FB 端电压 Vth_BM 1.7 V
低限(过载)时FB 端阈值电压 Vth_PL 4.7 V
低限时FB 端反跳时间 Td_PL 80 mSec
FB 端输入阻抗 Zfb_in 7.2 Kohm
SENSE 端口
SENSE 端输入阻抗 Zsense 30 Kohm
SENSN 端输入前沿消隐时间 T_Blanking 250 ns
无补偿状态下限流阈值 Vth_OCP_0 0.84 0.90 0.95 V
有补偿状态下限流阈值 Vth_ OCP1 0.81 V
过流保护和控制延时 Td_OC CL=1nf 120 nSec
RI 端口
RI 端口阻抗 RI 12 24 60 Kohm
RI 端口开电压 RI_Open
VDD=12V
Vfb=3V
2.0 V
正常工作的震荡频率 Fosc 60 65 70 KHz
触发(间歇)模式下基本频率 F_BM 22 KHz
频率温度稳定性 △f_Temp -20~100℃ 2 %
频率电压稳定性 △f_VDD 2 %
Zui大占空比 DC_Max 75 80 85 %
Zui小占空比 DC_Min 0 %
GATE 端口
输出低电平 VOL Io=-20mA 0.3 V
输出高电平 VOH Io=20mA 11 V
输出端钳制电平 VG_Clamp VDD=20V 18 V
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输出端上升时间 T_r CL=1nf 120 nSec
输出端下降时间 T_f CL=1nf 50 nSec
RT 端口
RT 端口的输出电流 I_RT VDD=16V 70 uA
过温保护阈值电压 Vth_OTP 150℃ 1.01 1.065 1.12 V
过温保护矫正电压 Vth_OTP_off 1.165 V
RT 端口开电压 Vrt_open 3.5 V
过温保护反跳时间 Td_OTP 100 uSec
Frequency Shuffing
频率调制范围 △f_OSC -3 3 %
频率抖动 F_Sh RI=24Kohm 32 Hz
表征图:
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封装机械数据:
8 引脚塑料DIP
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8 引脚塑料SOP
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相关产品:HBS2269 , OB2269 , 外挂电源芯片
所属分类:中国电子元件网 / 电源模块
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