C30950EH雪崩管 其他IC

工作原理

  在材料掺杂浓度较低的pn结中，当pn结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下获得的能量增大，在晶体中运动的电子和空穴将不断地与晶体原子又发生碰撞，当电子和空穴的能量足够大时，通过这样的碰撞的可使共价键中的电子激发形成自由电子–空穴对。新产生的电子和空穴也向相反的方向运动，重新获得能量，又可通过碰撞，再产生电子–空穴对，这就是载流子的倍增效应。当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，这样，反向电流剧增， pn结就发生雪崩击穿。利用该特点可制作高反压二极管。下图是雪崩击穿的示意图.

  雪崩二极管是一种负阻器件，特点是输出功率大，但噪声也很大。主要噪声来自于雪崩噪声，是由于雪崩倍增过程中产生电子和空穴和无规则性所引起的，其性质和散弹噪声类似。雪崩噪声是雪崩二极管振荡器的噪声远高于其它振荡器的主要原因

 其他详细介绍
每个模块包括一个光电探测器(快速光电二极管或雪崩光电二极管)和一个互阻抗放大器。同一封装中兼备放大器和光探测器，使其环境噪声更低，寄生电容更小。c30659 系列模块包括一个连接到低噪声互阻抗放大器的apd。有4种型号使用硅晶体 雪崩光电二极管和2 种型号铟镓砷雪崩光电二极管可选择。50 兆赫和200 兆赫的标准频带宽度可以适应大范围应用。另有两种c30659 型号的雪崩光电二极管配置热电制冷 (llam 系列)，帮助改善噪音或保持雪崩光电二极管在任何环境温度下恒温工作。c30659 型号可以根据特殊应用需要，选择一种定制频带宽度或适合特殊环境要求的定制产品。另有一种带尾纤封装14 插脚双列直插式插件，可以达到几乎100 %耦合效率。c30950eh是可以替代c30659 的低成本型产品。放大器用来抵消电压增益放大器的输入电容。c30919e 与c30950eh 使用相同设计结构，多了一个高压温度补偿电路以保持 模块在宽温度范围内的响应性常数。另两种huv 模块可用于低频高增益应用，它涵盖 了从紫外线到接近红外线的广谱范围。

应用 
激光测距仪· 共焦显微镜检查· 视频扫描成像仪· 高速分析仪器· 自由空间通信 · 紫外线传感· 分布式温度传感器
特点和优点 ：· 超低噪声· 高速· 高互阻抗增益

本产品的类型是其他IC，品牌是EXCELITAS，型号是C30950E，封装是TEL82521865，批号是15+