FGA25N120
更新时间:2015-03-04 12:02:57 信息编号:3479878 发布者IP:14.122.122.253 浏览:62次- 供应商
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- 仙童
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- FGA25N120
- 关键词
- FGA25N120, FGA25N120
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产品详细介绍
fga25n120antdtu 特点
fga25n120antdtu,采用 to-3p封装方式。
制造商: fairchild semiconductor
产品种类: igbt 晶体管
封装 / 箱体: to-3p
集电极—发射极Zui大电压 vceo: 1200 v
集电极—射极击穿电压: 1200 v
集电极—射极饱和电压: 2 v
栅极/发射极Zui大电压: 20 v
产品种类: igbt 晶体管
封装 / 箱体: to-3p
集电极—发射极Zui大电压 vceo: 1200 v
集电极—射极击穿电压: 1200 v
集电极—射极饱和电压: 2 v
栅极/发射极Zui大电压: 20 v
集电极Zui大连续电流 ic: 50 a
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 na
功率耗散: 312 w
封装: tube
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 na
功率耗散: 312 w
封装: tube
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