硅靶，高纯硅靶，镀膜专用硅靶，硅靶价格，钎华源厂家

 硅
元素符号：si 
原子量：28.0855
熔点：1410℃ 
沸点：2355℃
密度：3.42g/cm3 
折射率：3.42
电阻率/μω.cm：500 
线膨胀系数/℃-1：3.0×10-6
蒸发温度：饱和蒸汽压1.33pa时1350℃ 
蒸发源材料：be、zro2、tho2、c(坩埚)
主要用途：主要用于制造整流器、二极管、晶体管、光电池、太阳能电池、原子能电池、红外线探测器、以及电子致冷等半导体器件。
分析报告：（99.99%）in ppm

元素                 检测值ppm         元素             检测值ppm       元素      检测值ppm
iron (fe)                35      copper(cu)            <20          nickel (ni)      <10
chromium (cr)      <20      manganese (mn)     14           aluminium(al) 16
titanium(ti)            22    

本产品的品名是金属硅，牌号是si1101，产地是北京，硅含量≥是99.999（%），杂质含量是0.001（%），重量是1（kg/块），规格是锭、靶材、颗粒