CES2305台湾CET华瑞MOS管一级代理商

华瑞（cet）成立于1984年，是国内Zui具竞争力之功率半导体元件制造厂。已取得多项产品发明专利，并
经iso14001、qs9000、iso9001认证。
　　华瑞（cet）是台湾第一家自行研发、生产、销售power mosfets自有品牌的公司。从元件设计、晶
圆加工、封装、特性分析、测试全程作业以及客户服务，行销全球。产品已被广泛应用于m/b、nb、ups
、power inverter、ccfl、dc　fan、smps、adapter、lighting、battery、dc-dc、lcd monitor等领域
。
　　华瑞（cet）拥有非常齐全的功率金氧半电晶体的产品线及高压闸极绝缘双极性电晶体产品，也可以
依客户需求客制化制作产品。
　　华瑞（cet）拥有二十多年ic封装经验以及台湾功率半导体元件经验Zui丰富、Zui悠久的设计团队。未
来将以此为基础，开发更先进之产品，以客户服务为导向，提供的品质与交期，以期满足客户之需
求。
　　华瑞产品应用：
1、power tools(电动工具)：cep50n06 cep6060r
2、power inverter(逆变器，ups电源)：cep3205 cep50n06 cep9060r cep70n06 cep60n10 cepf640
cepf630 cepf634 cep740n cep740a
3、e-bike(电动车控制器)：cep3205 cep9060r cep50n06 cep70n06 cep7060r cep8096 cep80n75
cep60n10
台湾华瑞cet一级代理商
2007年10月 cet取得台湾「自我对准沟渠式功率金氧半场效电晶体(msofet)装置及其制造方法」之发明
专利（发明第i 287840号）
2005年10月 cet取得美国「lower the on-resistance in protection circuit of rechargeable
battery by using flip-chip technology」之发明专利（美国发明第6,917,117号）
2005年10月 cet取得大陆「功率金属氧化物半导体场效晶体管装置及其制造方法」之发明专利（大陆发
明第zl01144661.7号）
2005年05月 cet取得台湾「降低功率金氧半场效电晶体(mosfet)导通电阻之封装打线改良装置」之新型
专利（新型第m262837号）
2005年04月 cet取得大陆「无焊线式半导体装置及其封装方法」之发明专利（大陆发明第zl02102821.4
号）
2004年12月 cet取得大陆「导线架」之发明专利（大陆发明第zl99123960.1号）
2004年05月 cet取得台湾「利用防卫环(guard ring)连接技术以达成功率半导体元件积体电路化之方法
及装置」之发明专利（发明第196136号）
2004年05月 cet取得大陆「充电电池保护电路用功率场效应晶体管的覆晶安装方法」之发明专利（大陆
发明第zl01110591.7号）
2004年04月 cet取得台湾「高耐雪崩崩溃电压元件之装置，以及提高元件耐雪崩崩溃电压之方法」之发
明专利（发明第194175号）
2003年12月 cet取得台湾「改变功率电晶体闸极结构改善其切换速度之方法」之发明专利（发明第
182953号）
2003年09月 cet取得台湾「无焊线式半导体装置及其封装方法（一）」之发明专利（发明第176589号）
2003年07月 cet取得台湾「单相降压型直流电源转换器整合式封装构造」之新型专利（新型第199864号
）
2003年05月 cet取得台湾「用于降低导通电阻之充电电池保护电路用功率电晶体的覆晶安装方法」之发
明专利（发明第168017号）
2003年04月 cet取得台湾「半导体功率元件之封装方法及及其装置」之发明专利（发明第163944号）
2003年03月 cet取得台湾「无焊线式半导体装置及其封装方法（二）」之发明专利（发明第165175号）
2002年09月 cet取得台湾「利用井区渐层式掺杂降低功率mos fet漏电流及提升崩溃电压之方法及其装置
」之发明专利（发明第154006号）
2002年09月 cet取得台湾「降低磊晶层电阻值之沟渠式功率mos et装置及其制造方法」之发明专利（发
明第152521号）
2002年08月 cet取得台湾「具有减少反向漏电流急变且提高耐雪崩崩溃电流能力之功率mosfet装置及其
制造方法」 之发明专利（发明第151542号）
2002年07月 cet取得台湾「用于控制绝缘闸极双极性电晶体(igbt)装置切换速率之方法,以及绝缘闸极双
极性电晶体(igbt)装置及其制造方法」之发明专利（发明第151899号）
2002年06月 cet取得台湾「低导通电阻值功率mosfet装置及其制造方法」之发明专利（发明 第151091号
）
2002年06月 cet取得台湾「在相同元件面积下以平面式技术取得具有沟渠式技术低导通电阻值之功率
mosfet装置及其制造方法」之发明专利（发明第151089号）
2002年06月 cet取得台湾「平面式超低导通电阻值之功率mosfet装置及其制造方法」之发明专利（发明
第151088号）
2002年05月 cet取得台湾「具有低接触电阻值之功率mos fet装置」之新型专利（新型第185499号）
2002年04月 cet取得台湾「降低导通电阻值及增加耐雪崩崩溃电流能力之功率mosfet装置及其制造方法
」之发明专利（发明第147333号）
2002年03月 cet取得台湾「利用离子植入技术提升功率mosfet电晶体开关速率之方法及其装置」之发明
专利（发明第145832号）
2002年03月 cet取得台湾「沟渠式功率mosfet之改良结构及其制造方法」之发明专利（发明第144201号
）
2001年04月 cet取得台湾「高功率电晶体在塑胶封装产品的导线架设计(一)」之新型专利（新型第
153576号）
深圳市艾美茵科技有限公司 台湾华瑞mos管一级代理商（大量库存现货同行Zui优势价，欢迎各采购商来
电恰谈！
本公司承诺所有售出产品质量保证，如在使用过程中有任何质量问题包退包换产品常年备货，全球
Zui低价！


以下是电焊机普遍使用to-220封装mosfet的料
cep4060a to-220
cep20p06 to-220
cep6336 to-220
cep6601 to-220
cep6060n to-220
cep12p10 to-220
cepf640 to-220
以下是ups普遍使用to-220封装mosfet的料
cep3205
cep93a3

cep83a3g
cep740
cep640
cep60n10
型号太多，在此不便一一列举。如您对我们的产品有兴趣，请与我们联系。

主要有锂电池保护板用的封／ceg8205a（tssop-8封装2n）主要应用在mp3、mp4蓝
牙耳机、手机电池保护板，pdvd保护板，矿灯电池保护板，电源开关。体积小，
内阻低。　 cem4435（sop-8封装）用在笔记本pc，pdvd电池保护板　 cem9435（
sop-8封装）用在lcd　inverter升压板，读卡器，车载电源　 4、cem4953（sop
-8封装）应用大型led显示屏，pdvd电池保护板等　 5、ssm8405（n＋p）应用在
电动遥控玩具，lcd　inverter高压板（控制半桥电路）　 6、ces2309（sot-23
单p）／sss2308（单n）应用在mp3　mp4主板，数码相机，应用在锂电池保护板。

本产品的品牌是CET/华瑞，型号是CES2305，种类是结型(JFET)，沟道类型是P沟道，导电方式是增强型，用途是A/宽频带放大，封装外形是SMD(SO)/表面封装，材料是P-FET硅P沟道