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mitsubishi 三菱〖〗PM800HSA120三菱IPM模块

更新时间:2021-06-09 18:34:19 信息编号:3031845 浏览:72次
供应商
昆山新东佳电子有限公司 商铺
认证
资质核验:
已通过营业执照认证
入驻顺企:
9
主体名称:
昆山新东佳电子有限公司
组织机构代码:
913205830878071802
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品牌
型号
PM800HSA120
控制方式
单向
所在地
前进东路233号
联系电话
0512-36886603
手机号
18913270375
经理
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产品详细介绍

原装、长期现货、三包承若

 

 

赛米控(西门康)semikron 可控硅 igbt 系列产品,本公司可直接向德国订货,货源稳 交期快 量大更优惠!保证每颗型号都为原装新件。欢迎新老客户咨询!

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igbt

igbt(insulated gate bipolar transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由bjt(双极型三极管)和mos(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点。gtr饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;mosfet驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。igbt综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

igbt模块的选择

igbt模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当igbt模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗增大,使原件发热加剧,因此,选用igbt模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时,由于开关损耗增大,发热加剧,选用时应该降等使用。 

使用中的注意事项

  由于igbt模块为mosfet结构,igbt的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30v。因此因静电而导致栅极击穿是igbt失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:   在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸; 在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块; 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。   此外,在栅极—发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过。这时,如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使igbt发热及至损坏。   在使用igbt的场合,当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态),若在主回路上加上电压,则igbt就会损坏,为防止此类故障,应在栅极与发射极之间串接一只10kω左右的电阻。   在安装或更换igbt模块时,应十分重视igbt模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻,在散热器与igbt模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致igbt模块发热,而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近igbt模块的地方安装有温度感应器,当温度过高时将报警或停止igbt模块工作。 

保管时的注意事项

  一般保存igbt模块的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为5~35℃ ,常湿的规定在45~75%左右。在冬天特别干燥的地区,需用加湿机加湿; 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合; 在温度发生急剧变化的场所igbt模块表面可能有结露水的现象,因此igbt模块应放在温度变化较小的地方; 保管时,须注意不要在igbt模块上堆放重物; 装igbt模块的容器,应选用不带静电的容器。   igbt模块由于具有多种优良的特性,使它得到了快速的发展和普及,已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉igbt模块性能,了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。

 

注意:

两只起含税 含运费 !  原装产品一经售出不支持7天退换货。

本产品的品牌是MITSUBISHI/三菱,型号是PM800HSA120,控制方式是单向,极数是多极,封装材料是塑料封装,封装外形是平板形,关断速度是高频(快速),散热功能是不带散热片,频率特性是超高频,功率特性是大功率,额定正向平均电流是1(A),控制极触发电流是1(mA)

所属分类:中国电子元件网 / 高频(快速)可控硅
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