简介:
si2301是二三级管的一种,属于场效应管。
晶体管类型 : p沟道mosfet
Zui大功耗pd : 1.25w
栅极门限电压vgs : 2.5v(典型值)
漏源电压vds :-20v(极限值)
漏极电流id:-2.3a
通态电阻rds(on):0.145ohm(典型值)
栅极漏电流igss:±100na
结温:55℃to+150℃
封装:sot-23(to-236)
本产品的品牌是ascsemi,型号是si2301,种类是绝缘栅(MOSFET),沟道类型是P沟道,导电方式是增强型,用途是A/宽频带放大,封装外形是SMD(SO)/表面封装,材料是GaAS-FET砷化镓,Zui大漏极电流是0.1,跨导是3.5,开启电压是0.8,夹断电压是20,低频噪声系数是0.1,极间电容是223,Zui大耗散功率是0.03