me8313可以实现高平均效率、
可提供线损补偿。可以轻松做到待机100mw内。
芯片的主要特点:
● 全电压输入,恒压精度可控制±5%以内;
● 全电压范围内高精度恒流调节;
● 原边控制内置mos芯片;
● 逐周期电流限制;
● vdd低压滞后闭锁(uvlo);
● 超低启动电流(典型值 1ua);
● 带可调线损补偿 ;
● 内置短路保护、vdd过压保护;
● 内置初级绕组电感补偿;
● 内置反馈回路开路保护;
● 内置前沿消隐;
● 采用dip-8封装;
二、各脚的功能以及调试中注意事项:
1.vdd供电脚:
me8313 的启动电流低至1ua,可有效地减少系统启动电路的损耗,减小待机功耗。启动
阈值电压13.6v 关断阈值电压7.6v,ovp电压为30v。建议在调试计算中vcc辅助绕组电压一
般设置在20v内, vcc电解推荐为10uf。
2. comp脚:
线损补偿脚,外接电容对地,推荐使用范围0.1-1uf,demo板上使用的为0.22uf。
3.inv 反馈电压输入端:
inv反馈阈值电压为2v。不管是恒流模式还是恒压模式,都工作在断续模式(dcm) 。为
了避免进入连续模式(ccm) ,在每个周期都采样 fb 端下降沿波形,如果 0.1v的下降
沿电压没有被探测到,则强制关闭开关管。使之进入断续模式。画pcb时注意尽量远离功
率地线。
该脚还有线损补偿功能,fb外接电阻大(比例不变),输出补偿多,反之小。
4.cs原边电流采样端:
cs端是原边电流采样端,峰值电流预检测阈值是580mv。当mos管打开时,过冲电流会产
生在采样电阻上。为了避免开关误操作,芯片内置了一个前沿消隐leb时间,人为产生一
个 500ns 的空白期,使得mos管不会被误操作而关闭。cs脚的峰值电流检测阈值为580mv。
这个脚不需要外接电容。
5.gnd:
芯片的电源接地脚,画pcb时注意与功率地分开布线。
6.drain 脚:
me8313内部集成一个600v/2a的高压功率 mosfet,该脚为内部高压功率
mosfet的漏极,
接变压器初级。
三、其他的注意事项:
1)起动电阻阻值之和推荐是3-6m左右,阻值的大小取决于低压时启动时间和Zui低启动电
压和vcc电解决定。
2)初级峰值电流大小是由r6//r12的阻值来设置,均采用1%精度电阻。
3)输出电压的大小取决于fb的采样电阻r8,r9来设置,均采用1%精度电阻。r8阻值大,
输出电压大,反之小。
4)输出假负载可在0.008a电流左右,空载待机可以做到小于100m w。
5)电源初次调试启动不良时,首先要检查变压器相位和绕组的计算是否正确,确认无误
后检查线路连接是否正确、pcb布线是后正确合理等。
6)采样配比情况,当电源出现打嗝时,请检查 fb采样配比、vcc触发欠压或过压所致,
调整fb电阻值或者变压器匝比即可解决。
相关产品:ME8313可以实现高平均效率 , 可提供线损补偿。可以轻松做到待机100mW内。
所属分类:
中国电子元件网 /
驱动IC本页链接:http://product.11467.com/info/2767569.htm