产品信息
场效应管 mosfet n 55v
d2-pak
晶体管极性: p沟道
电流, id 连续: 74a
漏源电压, vds: 55v
在电阻rds(上): 20mohm
电压 @ rds测量: -10v
阈值电压 vgs: 4v
功耗 pd: 200w
晶体管封装类型: to-262
针脚数: 3
工作温度Zui高值: 175°c
msl: -
svhc(高度关注物质): no svhc (16-dec-2013)
封装类型, 其它: to-262ab
工作温度Zui小值: -55°c
工作温度范围: -55°c 至 +175°c
漏极电流, id Zui大值: -74a
电压 vgs @ rds on 测量:
10v
电压, vds: 55v
电压, vds 典型值: 55v
电压, vgs Zui高: -4v
电流, idm 脉冲: 260a
表面安装器件: smd
阈值电压, vgs th Zui低: 2v
阈值电压, vgs th Zui高: 4v
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