FDS4935A 场效应管 MOS管
更新时间:2014-05-07 09:03:55 信息编号:2701331 浏览:160次![](http://image.11467.com/12/25/1225647347.jpg)
- 供应商
- 深圳市利捷世纪电子有限公司 商铺
- 认证
- 报价
- 人民币¥1.00元每
- 品牌
- fairchild/仙童
- 型号
- fds4935a
- 种类
- 绝缘栅(mosfet)
- 所在地
- 深圳市福田区中航路东侧都会100大厦银都24C(仅限办公)
- 联系电话
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产品详细介绍
场效应晶体管(field effect transistor缩写(fet))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的id,用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制id”。更正确地说,id流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在vgs=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很
大,根据漏极-源极间所加vds的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流id流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,id饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生id的饱和现象。其次,vgs向负的方向变化,让vgs=vgs(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且vds的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。
金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, mosfet)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。mosfet依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的mosfet,通常又称为nmosfet与pmosfet,其他简称尚包括nmos fet、pmos fet、nmosfet、pmosfet等。
深圳市利捷世纪电子有限公司
深圳市利捷世纪电子有限公司是一家专营电子元器件的现货分销商。主要经营美国整流器ir品牌系列、美国威世vishay品牌系列、美国仙童fairchild品牌系列、美国万代aosmd品牌系列、日本电气nec品牌、日本东芝toshiba、美国安森美on知名品牌系列厂家mos管、场效应管、二三极管、光电元器件、红外线发射接收器,产品广泛应用于商业、工业等领域。本公司产品在mos-fet(sop-8系列)领域上占有全系列型号的现货库存和的价格优势,为客户创造更高的竞争力和利润空间,各新老客户与本公司的合作将有不菲的收获和品质稳定!同时可根据客户的产品技术参数要求和需要提供全系列的配套服务。
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